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德國弗萊貝格電池片PID測試儀PIDcon bifacial技術

更新時間:2023-06-27點擊次數(shù):1236

2010年以來,潛在的誘導退化被認為是導致模塊故障的主要原因之一。利用弗勞恩霍夫CSP開發(fā)的新技術,以及弗萊貝格儀器公司的臺式工具PIDcon,可以對太陽能電池和微型組件的PID敏感性進行測試,現(xiàn)在已經投入市場。 

了解更多關于PID的原因以及如何研究太陽能電池、微型模塊和封裝材料的敏感性。

PID-s的物理性質

電勢誘導退化(PID)是在晶體硅組件中觀察到的較高危險的退化現(xiàn)象之一。在了解分流型PIDPID-s)的基本機制方面已經取得了很大進展。

PID use-11.png


PID-s的物理性質

在現(xiàn)場,模塊中的前玻璃表面和太陽能電池之間可能會出現(xiàn)較大的電位,硅太陽能電池的p-n結會發(fā)生分流,從而導致電阻和功率輸出下降。

以下模型是由[1]提出的:

模塊中存在的高場強導致Na+漂移通過SiNx層。鈉離子在SiNx/Si界面(SiOx)橫向擴散,并裝飾了堆疊故障。pn結通過高度裝飾的堆積斷層的缺陷水平被分流(過程1),另外,由于耗盡區(qū)的缺陷狀態(tài)的重組過程,J02增加(過程2)。請注意,Na離子應該是來自Si表面而不是玻璃。

因此,模塊的易感性主要取決于SiNx層以及玻璃和EVA箔的電阻率。


參考文獻:

[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318

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